Всеволод Феликсович Гантмахер (род. 8 октября 1935, Москва) — российский физик, академик РАН, главный редактор журнала «Письма в ЖЭТФ».

Краткая биография

В. Ф. Гантмахер родился в 1935 году, в Москве^[1], в семье Феликса Рувимовича Гантмахера. В 1959 году окончил Московский физико-технический институт. Ещё студентом в 1957 году он начал работу в Институте физических проблем Академии Наук СССР (ИФП АН СССР) (в настоящее время Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН)

В 1964 году он защитил кандидатскую диссертацию и начал работать в Институте физики твердого тела АН СССР в Черноголовке, при этом продолжая научную деятельность в ИФП АН СССР.

В 1967 году состоялась защита докторской диссертации «Размерные эффекты в металлах».

Начиная с 1964 года, В. Ф. Гантмахер преподает в Московском физико-техническом институте, а с 2000 года и в Московском государственном университете. С 1990 года он главный редактор одного из ведущих российских физических журналов «Письма в ЖЭТФ».

В 1997 году был избран членом-корреспондентом Российской академии наук.

В 2009 году В. Ф. Гантмахеру присуждена Золотая медаль имени П. Л. Капицы за цикл работ «Коллективные явления в электронных системах при низких температурах».

В 2011 году был избран академиком Российской академии наук.

Основные научные достижения

В. Ф. Гантмахер в первый период своей научной жизни экспериментально открыл принципиально новый тип проникновения электромагнитных волн в металлы в магнитном поле в виде специфической спиральной стоячей волны. Этот эффект называют радиочастотным размерным эффектом или эффектом Гантмахера, а сами волны — волнами Гантмахера-Канера ^[2]

Затем Всеволод Феликсович занялся изучением электронного рассеяния. Им были измерены вероятности электрон-фононного рассеяния в олове, индии, висмуте, сурьме, вольфраме, молибдене и меди и объяснены особенности электрон-фононного рассеяния в полуметаллах. В результате им была совместно с И. Б. Левинсоном написана книга «Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках»^[3]. Книга вышла в 1984 году на русском и в 1987 году на английском языках.

Следующим этапом научной деятельности В. Ф. Гантмахера явилось изучение транспортных свойств при низких температурах в фотовозбужденных полупроводниках. Совместно с В. Н. Зверевым им был обнаружен в германии новый вид осцилляций электрических свойств в магнитном поле — магнитопримесные осцилляции, которые были вызваны неупругим резонансным рассеянием носителей на мелких примесях. Результаты исследований вошли в книгу «Landau Level Spectroscopy» ^[4]

В последнее время Всеволод Феликсович исследует транспортные свойства высокорезистивных металлических сплавов и семейств материалов, к которым принадлежат высокотемпературные сверхпроводники. Последнее достижение в этой области — доказательство существования разрушаемых магнитным полем локализованных пар на диэлектрической стороне перехода сверхпроводник-диэлектрик.

Примечания